MJE13009G中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 12.0 A
额定功率 100 W
极性 NPN
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 8
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE13009G引脚图与封装图 
MJE13009G引脚图
MJE13009G封装图
MJE13009G封装焊盘图
在线购买MJE13009G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE13009G | ON Semiconductor 安森美 | 12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJE13009G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE13009G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220AB NPN 400V 12A 100000mW | 当前型号 | 12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJE13009 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 N-Channel 400V 12A 2W | 类似代替 | 12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS | MJE13009G和MJE13009的区别 |
| 型号： ST13009 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 900V 12A 100000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS ST13009 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE | MJE13009G和ST13009的区别 |