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ST13009

STMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE

The is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds.

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Low spread of dynamic parameters
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High voltage capability
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Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
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Very high switching speed
ST13009中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 10 @8A, 5V

额定功率Max 100 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

ST13009引脚图与封装图
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在线购买ST13009
型号 制造商 描述 购买
ST13009 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE 搜索库存
替代型号ST13009
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ST13009

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 NPN 900V 12A 100000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE

当前型号

型号: FJP13009H2TU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 400V 12A 100000mW

功能相似

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

ST13009和FJP13009H2TU的区别

型号: MJE13009G

品牌: 安森美

封装: TO-220AB NPN 400V 12A 100000mW

功能相似

12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS

ST13009和MJE13009G的区别