IPD110N12N3GATMA1、IPD110N12N3GBUMA1、FDD86110对比区别

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型号 IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GBUMA1 FDD86110

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 120V 75APowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0092 Ω - 0.0085 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 136 W 136W (Tc) 127 W

阈值电压 3 V - 2.8 V

漏源极电压(Vds) 120 V 120 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75A 12.5A

输入电容(Ciss) 3240pF @60V(Vds) 4310pF @60V(Vds) 2265pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 3.1 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc)

通道数 1 - -

上升时间 16 ns - -

下降时间 8 ns - -

额定功率 - 136 W -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.41 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15