FDD86110
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD86110中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 12.5A
输入电容Ciss 2265pF @50VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 127W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDD86110引脚图与封装图
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在线购买FDD86110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD86110 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDD86110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD86110 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK N-Channel 100V 12.5A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： IPD110N12N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 120V 75A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | FDD86110和IPD110N12N3GATMA1的区别 |