IPD110N12N3GBUMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD110N12N3GBUMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 136 W
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 4310pF @60VVds
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD110N12N3GBUMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD110N12N3GBUMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD110N12N3GBUMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 120V 75A | 搜索库存 |
替代型号IPD110N12N3GBUMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD110N12N3GBUMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 120V 75A | 当前型号 | DPAK N-CH 120V 75A | 当前型号 |
| 型号： IPD110N12N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 120V 75A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | IPD110N12N3GBUMA1和IPD110N12N3GATMA1的区别 |