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IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


立创商城:
N沟道 120V 75A


得捷:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET TRENCH >=100V


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3


IPD110N12N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 3240pF @60VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 通信与网络, 电源管理, 工业, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Audio, 电机驱动与控制, 音频, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Communications & Networking, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD110N12N3GATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD110N12N3GATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD110N12N3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD110N12N3GATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 120V 75A

当前型号

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号： IPD110N12N3GBUMA1

品牌： 英飞凌

封装： DPAK N-CH 120V 75A

类似代替

DPAK N-CH 120V 75A

IPD110N12N3GATMA1和IPD110N12N3GBUMA1的区别

型号： FDD86110

品牌： 飞兆/仙童

封装： DPAK N-Channel 100V 12.5A

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IPD110N12N3GATMA1和FDD86110的区别