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SBC807-40LT1G、SBC807-40LT3G、BC80740B5003XT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SBC807-40LT1G SBC807-40LT3G BC80740B5003XT

描述 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 40 hFEPNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3Pin SOT-23 Bulk

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 300 mW 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 600 - -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -