无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SBC807-40LT3G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SBC807-40LT3G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 PNP 300mW | 当前型号 | PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 | |
型号: SBC807-40LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 PNP 300mW | 完全替代 | 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 40 hFE | SBC807-40LT3G和SBC807-40LT1G的区别 | |
型号: BC807-40LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT1G 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE | SBC807-40LT3G和BC807-40LT1G的区别 | |
型号: BC807-40LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新 | SBC807-40LT3G和BC807-40LT3G的区别 |