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BCW65ALT1G、JAN2N706、BCW65ALT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW65ALT1G JAN2N706 BCW65ALT1

描述 BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23NPN 15V 10mA通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOT-23-3 TO-18 SOT-23-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 800 mA - 800 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 15 V 32 V

集电极最大允许电流 0.8A 10mA 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V - 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW - 225 mW

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

耗散功率 225 mW - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-23-3 TO-18 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

宽度 2.64 mm - -

高度 1.11 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -