BCW65ALT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 800 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BCW65ALT1引脚图与封装图
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在线购买BCW65ALT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW65ALT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BCW65ALT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW65ALT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 800mA | 当前型号 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BCW65ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 800mA 300mW | 完全替代 | BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23 | BCW65ALT1和BCW65ALT1G的区别 |