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BCW65ALT1G

BCW65ALT1G

数据手册.pdf

BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BCW65ALT1G , NPN 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3


立创商城:
BCW65ALT1G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 60V NPN


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BCW65ALT1G NPN Bipolar Transistor; 0.8 A; 32 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23


BCW65ALT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 32.0 V

额定电流 800 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCW65ALT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCW65ALT1G
型号 制造商 描述 购买
BCW65ALT1G ON Semiconductor 安森美 BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23 搜索库存
替代型号BCW65ALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCW65ALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 800mA 300mW

当前型号

BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23

当前型号

型号: BCW65ALT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 800mA

完全替代

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

BCW65ALT1G和BCW65ALT1的区别

型号: BCW32@215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236 NPN

类似代替

BCW32@215

BCW65ALT1G和BCW32@215的区别

型号: MPSA27RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MPSA27RLRAG  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE

BCW65ALT1G和MPSA27RLRAG的区别