TPS1120DG4、TPS1120DR、TPS1120D对比区别
型号 TPS1120DG4 TPS1120DR TPS1120D
描述 双P沟道增强型MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSP沟道增强方式MOSFETTEXAS INSTRUMENTS TPS1120D 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 2 - 2
漏源极电阻 180 mΩ - 0.18 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.84 W 0.84 W 840 mW
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 1.17A 1.17 A 1.17 A
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
额定功率(Max) 840 mW 840 mW 840 mW
下降时间 10 ns 2 ns 2 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 840 mW 840 mW 840 mW
额定电压(DC) - -15.0 V -15.0 V
额定电流 - -1.17 A -1.70 A
输出电压 - - -15.0 V
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 1.25 V
漏源击穿电压 - - 15 V
输出电流(Max) - - 1.7 A
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.91 mm
高度 1.75 mm - 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
香港进出口证 - - NLR