TPS1120DG4
TI
德州仪器
分立器件
TPS1120DG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.84 W
漏源极电压Vds 15 V
连续漏极电流Ids 1.17A
上升时间 10 ns
额定功率Max 840 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 840 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPS1120DG4引脚图与封装图 
TPS1120DG4引脚图
TPS1120DG4封装图
TPS1120DG4封装焊盘图
在线购买TPS1120DG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPS1120DG4 | TI 德州仪器 | 双P沟道增强型MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | 搜索库存 |
替代型号TPS1120DG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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