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TPS1120D

TPS1120D

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  TPS1120D  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V

P 通道 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


立创商城:
TPS1120D


德州仪器TI:
Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET


欧时:
Texas Instruments 双 Si P沟道 MOSFET TPS1120D, 1.17 A, Vds=15 V, 8引脚 SOIC封装


得捷:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC


贸泽:
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, P沟道, 15 V, 1.17 A, 0.18 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The TPS1120D power MOSFET from Texas Instruments provides the solution. Its maximum power dissipation is 840 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube


Newark:
Dual MOSFET, Dual P Channel, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V


力源芯城:
双路P沟道增强方式MOSFET


TPS1120D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -15.0 V

额定电流 -1.70 A

输出电压 -15.0 V

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 840 mW

阈值电压 1.25 V

漏源极电压Vds 15 V

漏源击穿电压 15 V

连续漏极电流Ids 1.17 A

上升时间 10 ns

输出电流Max 1.7 A

额定功率Max 840 mW

下降时间 2 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 840 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

TPS1120D引脚图与封装图
TPS1120D引脚图

TPS1120D引脚图

TPS1120D封装图

TPS1120D封装图

TPS1120D封装焊盘图

TPS1120D封装焊盘图

在线购买TPS1120D
型号 制造商 描述 购买
TPS1120D TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  TPS1120D  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS1120D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC P-Channel -15V 1.17A 180uohms

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  TPS1120D  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V

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