STD3NK60ZT4、STD60NF06T4、FQD2N60CTM对比区别

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型号 STD3NK60ZT4 STD60NF06T4 FQD2N60CTM

描述 STMICROELECTRONICS  STD3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 2.40 A - 1.90 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 3.3 Ω 0.014 Ω 3.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 110 W 44 W

阈值电压 3.75 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 60.0 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 60.0 A 1.90 A

上升时间 14 ns 108 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 311pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 235pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 110 W 2.5 W

下降时间 14 ns 20 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)

输入电容 - - 235 pF

栅电荷 - - 12.0 nC

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.4 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99