FQD2N60CTM

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A， Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

贸泽:
MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
FQD2N60C 系列 600 V 1.9 A 4.7 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - TO-252-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; 44W; DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  Power MOSFET, N Channel, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK