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STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4

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STMICROELECTRONICS  STD3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

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MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK


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N沟道 600V 2.4A


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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK60ZT4, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK


STD3NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 2.40 A

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 311pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 照明, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD3NK60ZT4引脚图与封装图
STD3NK60ZT4引脚图

STD3NK60ZT4引脚图

STD3NK60ZT4封装图

STD3NK60ZT4封装图

STD3NK60ZT4封装焊盘图

STD3NK60ZT4封装焊盘图

在线购买STD3NK60ZT4
型号 制造商 描述 购买
STD3NK60ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STD3NK60ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD3NK60ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STD3NK60Z-1

品牌： 意法半导体

封装： TO-251AA N-Channel 2.4A

完全替代

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

STD3NK60ZT4和STD3NK60Z-1的区别

型号： STD15NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

类似代替

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

STD3NK60ZT4和STD15NF10T4的区别

型号： STD60NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD3NK60ZT4和STD60NF06T4的区别