FDS6676AS、IRF8113TRPBF、STS14N3LLH5对比区别

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型号 FDS6676AS IRF8113TRPBF STS14N3LLH5

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10VN沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 16.6 A -

漏源极电阻 0.0045 Ω 6.8 mΩ 5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W

产品系列 - IRF8113 -

输入电容 - 2910pF @15V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.5 A 17.2 A 7.00 A

上升时间 12 ns 8.90 ns 14.5 ns

输入电容(Ciss) 2510pF @15V(Vds) 2910pF @15V(Vds) 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.7 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 - 1

阈值电压 1.5 V - 1 V

下降时间 29 ns - 4.5 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.7W (Tc)

针脚数 8 - -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -