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FDS6676AS

FDS6676AS

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET， Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术，RDS（接通）极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDS6676AS, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚


贸泽:
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS6676AS 系列 30 V 6 mOhm 63 nC N沟道 PowerTrench® SyncFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  MOSFET Transistor, N Channel + Schottky, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC


FDS6676AS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 14.5 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2510pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS6676AS引脚图与封装图
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在线购买FDS6676AS
型号 制造商 描述 购买
FDS6676AS Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V 搜索库存
替代型号FDS6676AS
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDS6676AS

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SO N-Channel 30V 14.5A 7mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V

当前型号

型号： IRF8113TRPBF

品牌： 国际整流器

封装： SOIC N-Channel 30V 17.2A

功能相似

N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V

FDS6676AS和IRF8113TRPBF的区别

型号： STS14N3LLH5

品牌： 意法半导体

封装： SOIC-8 N-Channel 7A

功能相似

N沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

FDS6676AS和STS14N3LLH5的区别

型号： SI4156DY-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOIC N-Channel 30V 24A

功能相似

VISHAY  SI4156DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V

FDS6676AS和SI4156DY-T1-GE3的区别