锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF8113TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 16.6 A

漏源极电阻 6.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF8113

输入电容 2910pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 17.2 A

上升时间 8.90 ns

输入电容Ciss 2910pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF8113TRPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF8113TRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF8113TRPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRF8113TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF8113TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 30V 17.2A

当前型号

N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V

当前型号

型号: FDS6676AS

品牌: 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 14.5A 7mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V

IRF8113TRPBF和FDS6676AS的区别

型号: SI4168DY-T1-GE3

品牌: 威世

封装: 8-SOIC N-Channel 30V 16A 6.2mΩ

功能相似

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

IRF8113TRPBF和SI4168DY-T1-GE3的区别