额定电压DC 30.0 V
额定电流 16.6 A
漏源极电阻 6.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF8113
输入电容 2910pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 17.2 A
上升时间 8.90 ns
输入电容Ciss 2910pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF8113TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF8113TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 17.2A | 当前型号 | N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: FDS6676AS 品牌: 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 14.5A 7mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6676AS 晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V | IRF8113TRPBF和FDS6676AS的区别 | |
型号: SI4168DY-T1-GE3 品牌: 威世 封装: 8-SOIC N-Channel 30V 16A 6.2mΩ | 功能相似 | N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | IRF8113TRPBF和SI4168DY-T1-GE3的区别 |