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STS14N3LLH5

STS14N3LLH5

数据手册.pdf

N沟道30 V , 0.005 Ω , 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 14A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC


贸泽:
MOSFET N-channel 30 V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STS14N3LLH5 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2700 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device is made with stripfet v technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SO N T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC


STS14N3LLH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STS14N3LLH5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STS14N3LLH5 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道30 V , 0.005 Ω , 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET 搜索库存
替代型号STS14N3LLH5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS14N3LLH5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC-8 N-Channel 7A

当前型号

N沟道30 V , 0.005 Ω , 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

当前型号

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品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ

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