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MUN2211T1G、MUN2211T3、DTC114EKAT146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2211T1G MUN2211T3 DTC114EKAT146

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsROHM  DTC114EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 50.0 mA

额定功率 - - 0.2 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.338 W - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 230 mW 338 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - - 30

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) 338 mW - 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 35 - -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.5 mm - 1.6 mm

高度 1.09 mm - 1.2 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -