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MUN2211T1G

MUN2211T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

双电阻器数字 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59


立创商城:
NPN 双极数字晶体管 BRT


欧时:
### 双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。![http://china.rs-online.com/largeimages/L246179-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L246179-01.gif ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R


Allied Electronics:
MUN2211T1G NPN Digital Transistor; 100 mA 50 V 10 kOhms; Ratio Of 1; 3-Pin SC-59


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 230mW; SC59; R1:10kΩ


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SC-59


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59


MUN2211T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.338 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 35

额定功率Max 230 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN2211T1G引脚图与封装图
MUN2211T1G引脚图

MUN2211T1G引脚图

MUN2211T1G封装焊盘图

MUN2211T1G封装焊盘图

在线购买MUN2211T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN2211T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59 搜索库存
替代型号MUN2211T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN2211T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

当前型号

型号: MUN2211T3G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW

完全替代

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

MUN2211T1G和MUN2211T3G的区别

型号: MUN2211T3

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA

类似代替

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

MUN2211T1G和MUN2211T3的区别

型号: PDTC114ET@215

品牌: 恩智浦

封装: NPN

类似代替

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R

MUN2211T1G和PDTC114ET@215的区别