![MUN2211T3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_238/chanpintu/mun2211t3-IfpVbEQH-8ZlKmmmjl.png)
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MUN2211T3 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 当前型号 | |
型号: MUN2211T1G 品牌: 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59 | MUN2211T3和MUN2211T1G的区别 | |
型号: MUN2211T3G 品牌: 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 类似代替 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN2211T3和MUN2211T3G的区别 | |
型号: MUN2211T1 品牌: 安森美 封装: SOT-23/SC-59 N-Channel 50V 100mA | 功能相似 | MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护 | MUN2211T3和MUN2211T1的区别 |