BDX33CG、TIP127G、NTE263对比区别
描述 ON SEMICONDUCTOR BDX33CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFEPNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TO-220 NPN 100V 10A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 100 V -100 V -
额定电流 10.0 A -5.00 A -
输出电压 - 100 V -
输出电流 - 5 A -
极性 NPN PNP, P-Channel NPN
耗散功率 70 W 65 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 10A 5A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 1000 @3A, 3V -
额定功率(Max) 70 W 2 W -
直流电流增益(hFE) 750 1000 20000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 70000 mW 2000 mW 2000 mW
输入电压 - 2.5 V -
针脚数 3 - -
长度 10.28 mm 10.28 mm -
宽度 4.82 mm 4.82 mm -
高度 9.28 mm 9.28 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951