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BDX33CG

ON SEMICONDUCTOR  BDX33CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BDX33CG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 70 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 70 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

BDX33CG引脚图与封装图
BDX33CG引脚图

BDX33CG引脚图

BDX33CG封装焊盘图

BDX33CG封装焊盘图

在线购买BDX33CG
型号 制造商 描述 购买
BDX33CG ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BDX33CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE 搜索库存
替代型号BDX33CG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BDX33CG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220-3 NPN 100V 10A 70000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BDX33CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE

当前型号

型号: BDX33C

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 100V 10A 70000mW

完全替代

Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications

BDX33CG和BDX33C的区别

型号: TIP41CG

品牌: 安森美

封装: TO-220 NPN 100V 6A 2000mW

类似代替

NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BDX33CG和TIP41CG的区别

型号: TIP127G

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -100V -5A 2000mW

类似代替

PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BDX33CG和TIP127G的区别