CSD19537Q3、CSD19537Q3T、CSD19531Q5A对比区别

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型号 CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19531Q5A

描述 CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD19537Q3T  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 VTEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-8 VSON-FET-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0121 Ω 0.0053 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 83 W 3.3 W

阈值电压 - 3 V 2.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 100A

上升时间 3 ns 3 ns 5.8 ns

输入电容(Ciss) 1680pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)

下降时间 3 ns 3 ns 5.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)

封装 VSON-Clip-8 VSON-8 VSON-FET-8

长度 3.3 mm - -

宽度 3.3 mm - -

高度 1 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -