极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1680pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
CSD19537Q3引脚图
CSD19537Q3封装图
CSD19537Q3封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19537Q3 | TI 德州仪器 | CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19537Q3 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-8 N-CH 100V 50A | 当前型号 | CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD19532Q5B 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-Channel 100V 100A | 类似代替 | N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B | CSD19537Q3和CSD19532Q5B的区别 |
| 型号： CSD19533Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A | 功能相似 | 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A | CSD19537Q3和CSD19533Q5A的区别 |
| 型号： CSD19531Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V | CSD19537Q3和CSD19531Q5A的区别 |
