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CSD19537Q3T

CSD19537Q3T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19537Q3T  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 100V 50A Ta 2.8W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-VSON 3.3x3.3


立创商城:
N沟道 100V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.5 mOhm


e络盟:
晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD19537Q3T  MOSFET Transistor, NexFETT, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V


CSD19537Q3T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0121 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1680pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD19537Q3T引脚图与封装图
CSD19537Q3T引脚图

CSD19537Q3T引脚图

CSD19537Q3T封装图

CSD19537Q3T封装图

CSD19537Q3T封装焊盘图

CSD19537Q3T封装焊盘图

在线购买CSD19537Q3T
型号 制造商 描述 购买
CSD19537Q3T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD19537Q3T  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号CSD19537Q3T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19537Q3T

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-8 N-Channel 100V 50A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19537Q3T  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: CSD19537Q3

品牌: 德州仪器

封装: VSON-8 N-CH 100V 50A

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