SN65EL11D、SN65EL11DR、MC100EL11DG对比区别

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型号 SN65EL11D SN65EL11DR MC100EL11DG

描述 5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout BufferON Semiconductor### 时钟发生器/缓冲器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

电路数 1 1 1

耗散功率 0.84 W 840 mW -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.2V ~ 5.7V 4.2V ~ 5.7V 4.2V ~ 5.7V

频率 - - 1.5 GHz

电源电压(DC) 4.20V (min) - 4.20V (min)

输出接口数 2 - 2

供电电流 18.0 mA - 26.0 mA

输入电流 - - 26.0 mA

电源电压(Max) - - 5.7 V

电源电压(Min) 4.2 V - 4.2 V

耗散功率(Max) 840 mW - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 5A991.b.1 - EAR99