SN65EL11DR
TI(德州仪器)
主动器件
SN65EL11DR中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
耗散功率 840 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.2V ~ 5.7V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SN65EL11DR引脚图与封装图 
SN65EL11DR引脚图
SN65EL11DR封装图
SN65EL11DR封装焊盘图
在线购买SN65EL11DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SN65EL11DR | TI 德州仪器 | 5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer | 搜索库存 |
替代型号SN65EL11DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SN65EL11DR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC | 当前型号 | 5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer | 当前型号 |
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