CSD18542KTT、CSD18542KTTT、CSD19536KTT对比区别

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型号 CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD19536KTT

描述 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175TEXAS INSTRUMENTS  CSD18542KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 4.0 mΩ 0.0033 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 250 W 250 W 375 W

阈值电压 1.5 V 1.8 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

上升时间 5 ns 5 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 5070pF @30V(Vds) 3900pF @30V(Vds) 12000pF @50V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns 6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250000 mW 375W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 200A - 200A

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

长度 9.25 mm 9.25 mm -

宽度 - 10.26 mm -

高度 4.7 mm 19.7 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -