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CSD18542KTTT

CSD18542KTTT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18542KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新

表面贴装型 N 通道 200A(Ta),170A(Tc) 250W(Tc) DDPAK/TO-263-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK


立创商城:
CSD18542KTTT


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 4 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 250W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18542KTTT  MOSFET, N-CH, 60V, 170A, TO-263-3


CSD18542KTTT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 3900pF @30VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

宽度 10.26 mm

高度 19.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18542KTTT引脚图与封装图
CSD18542KTTT引脚图

CSD18542KTTT引脚图

CSD18542KTTT封装图

CSD18542KTTT封装图

CSD18542KTTT封装焊盘图

CSD18542KTTT封装焊盘图

在线购买CSD18542KTTT
型号 制造商 描述 购买
CSD18542KTTT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18542KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新 搜索库存
替代型号CSD18542KTTT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18542KTTT

品牌: TI 德州仪器

封装: TO-263-3 N-Channel

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18542KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新

当前型号

型号: CSD18542KTT

品牌: 德州仪器

封装: TO-263 N-CH 60V 200A

功能相似

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

CSD18542KTTT和CSD18542KTT的区别