MJD122G、MJD122T4对比区别

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型号 MJD122G MJD122T4

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD122G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 8.00 A 8.00 A

耗散功率 1.75 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW

额定功率 1.75 W -

针脚数 3 -

极性 NPN -

直流电流增益(hFE) 2500 -

无卤素状态 Halogen Free -

输出电压 100 V -

输出电流 8 A -

热阻 71.4℃/W (RθJA) -

集电极最大允许电流 8A -

最大电流放大倍数(hFE) 12000 -

输入电压 5 V -

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99