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MJD122G

ON SEMICONDUCTOR  MJD122G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD122G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

额定功率 1.75 W

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 100 V

输出电流 8 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 71.4℃/W RθJA

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 2500

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 4MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, 车用, ??, Automotive, Industrial, Industrial, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD122G引脚图与封装图
MJD122G引脚图

MJD122G引脚图

MJD122G封装图

MJD122G封装图

MJD122G封装焊盘图

MJD122G封装焊盘图

在线购买MJD122G
型号 制造商 描述 购买
MJD122G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJD122G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE 搜索库存
替代型号MJD122G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD122G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK NPN 100V 8A 1750mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJD122G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE

当前型号

型号: NJVMJD122T4G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 1750mW

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MJD122G和NJVMJD122T4G的区别

型号: MJD122TF

品牌: 安森美

封装: DPAK-3 1750mW

类似代替

ON Semiconductor MJD122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK TO-252封装

MJD122G和MJD122TF的区别