MJD122T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD122T4引脚图与封装图 
MJD122T4引脚图
MJD122T4封装焊盘图
在线购买MJD122T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD122T4 | ON Semiconductor 安森美 | 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号MJD122T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD122T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 100V 8A | 当前型号 | 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： MJD122T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 8A 1750mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷 | MJD122T4和MJD122T4G的区别 |
| 型号： MJD122G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 8A 1750mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD122G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE | MJD122T4和MJD122G的区别 |
| 型号： NJVMJD122T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 1750mW | 类似代替 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MJD122T4和NJVMJD122T4G的区别 |