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MJB45H11、MJB45H11T4G、MJB45H11G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJB45H11 MJB45H11T4G MJB45H11G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A

极性 PNP N-Channel, P-Channel PNP

耗散功率 50 W 50 W 2 W

增益频宽积 50 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 60 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 - 40 MHz 40 MHz

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 40 60

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 800 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99