MJB45H11中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 50 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 800
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJB45H11引脚图与封装图
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在线购买MJB45H11
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJB45H11 | ON Semiconductor 安森美 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJB45H11
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJB45H11 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-263-3 PNP -80V -10A | 当前型号 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJB45H11T4 品牌： 安森美 封装： D2PAK PNP 80V 10A | 完全替代 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJB45H11和MJB45H11T4的区别 |
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| 型号： MJB45H11G 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 PNP -80V -10A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJB45H11G. 功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK | MJB45H11和MJB45H11G的区别 |