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MJB45H11T4G

MJB45H11T4G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK


欧时:
ON Semiconductor, MJB45H11T4G


得捷:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK


立创商城:
MJB45H11T4G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 80V 50W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3


DeviceMart:
TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3


MJB45H11T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -10.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJB45H11T4G引脚图与封装图
MJB45H11T4G引脚图

MJB45H11T4G引脚图

MJB45H11T4G封装焊盘图

MJB45H11T4G封装焊盘图

在线购买MJB45H11T4G
型号 制造商 描述 购买
MJB45H11T4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号MJB45H11T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJB45H11T4G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-263-3 N-Channel -80V -10A 2000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE

当前型号

型号： MJB45H11G

品牌： 安森美

封装： TO-263-3 PNP -80V -10A 2000mW

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ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK

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品牌： 安森美

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品牌： 安森美

封装： TO-263-3 PNP -80V -10A

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