BC640-016G、BC640BU、BC640对比区别

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型号 BC640-016G BC640BU BC640

描述 高电流晶体管 High Current TransistorsPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 150 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -500 mA -1.00 A -1.00 A

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW 1 W 1.00 W

增益频宽积 150 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW - -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99