额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.00 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
BC640引脚图
BC640封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC640 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -80V -1A 1W | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC640-016G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -80V -500mA 625mW | 功能相似 | 高电流晶体管 High Current Transistors | BC640和BC640-016G的区别 | |
型号: PN4250 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -40V -500mA | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | BC640和PN4250的区别 | |
型号: BC640TA 品牌: 安森美 封装: TO-92 1000mW | 功能相似 | ON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC640和BC640TA的区别 |