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BC640-016G

BC640-016G

数据手册.pdf

高电流晶体管 High Current Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 500 mA 150MHz 625 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A TO-92


BC640-016G中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC640-016G引脚图与封装图
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在线购买BC640-016G
型号 制造商 描述 购买
BC640-016G ON Semiconductor 安森美 高电流晶体管 High Current Transistors 搜索库存
替代型号BC640-016G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC640-016G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 PNP -80V -500mA 625mW

当前型号

高电流晶体管 High Current Transistors

当前型号

型号: BC640

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -80V -1A 1W

功能相似

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC640-016G和BC640的区别

型号: BC640BU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -80V -1A 1W

功能相似

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