BD243CG、D45C11、TIP41CG对比区别
描述 NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管PNP电流驱动器晶体管 PNP Current Driver TransistorNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 3 MHz - 3 MHz
额定电压(DC) 100 V -80.0 V 100 V
额定电流 6.00 A -4.00 A 6.00 A
针脚数 3 - 3
极性 NPN PNP NPN
耗散功率 65 W 60000 mW 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 80 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 40 @200mA, 1V 15 @3A, 4V
额定功率(Max) 65 W 60 W 2 W
直流电流增益(hFE) 30 20 3
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 65000 mW 60000 mW 2000 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 120 -
增益频宽积 - - 3 MHz
热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - - 6A
长度 10.28 mm 10.67 mm 10.28 mm
宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.83 mm
高度 15.75 mm 9.4 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99