BD243CG中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
额定功率Max 65 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 65000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD243CG引脚图与封装图 
BD243CG引脚图
BD243CG封装焊盘图
在线购买BD243CG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD243CG | ON Semiconductor 安森美 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BD243CG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD243CG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 6A 65000mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BD243C 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 100V 6A 65W | 完全替代 | STMICROELECTRONICS BD243C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE | BD243CG和BD243C的区别 |
| 型号： TIP41CG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 6A 2000mW | 类似代替 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BD243CG和TIP41CG的区别 |
| 型号： BD244BG 品牌： 安森美 封装： TO-220 PNP -80V -6A 65000mW | 类似代替 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors | BD243CG和BD244BG的区别 |