D45C11
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
D45C11中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 60000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 60 W
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
D45C11引脚图与封装图
暂无图片
替代型号D45C11
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： D45C11 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 PNP -80V -4A 60000mW | 当前型号 | PNP电流驱动器晶体管 PNP Current Driver Transistor | 当前型号 |
| 型号： BD243CG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 6A 65000mW | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | D45C11和BD243CG的区别 |
| 型号： BD243C 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 100V 6A 65W | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD243C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE | D45C11和BD243C的区别 |
| 型号： D45C12G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -80V -4A 30000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR D45C12G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE | D45C11和D45C12G的区别 |