MSD601-RT1G、PDTA124EK,115、MMBT5210对比区别

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型号 MSD601-RT1G PDTA124EK,115 MMBT5210

描述 MSD601-R: NPN 双极晶体管MPAK PNP 50V 100mAFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5210  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 30 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 NPN PNP NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 210 @2mA, 10V 60 @5mA, 5V 200 @100µA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 350 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 500 mA

耗散功率 0.2 W - 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 350 mW

频率 - - 30 MHz

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 200

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 - - 0.93 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99