极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PDTA124EK,115 | NXP 恩智浦 | MPAK PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PDTA124EK,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: MPAK PNP | 当前型号 | MPAK PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: DTC124XET1G 品牌: 安森美 封装: SC-75 NPN 50V 100mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA124EK,115和DTC124XET1G的区别 | |
型号: MUN5135T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | PDTA124EK,115和MUN5135T1G的区别 | |
型号: MSD601-RT1G 品牌: 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | MSD601-R: NPN 双极晶体管 | PDTA124EK,115和MSD601-RT1G的区别 |