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PDTA124EK,115

PDTA124EK,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 mW 表面贴装型 SMT3; MPAK


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin MPAK T/R


PDTA124EK,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA124EK,115引脚图与封装图
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PDTA124EK,115 NXP 恩智浦 MPAK PNP 50V 100mA 搜索库存
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型号: PDTA124EK,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: MPAK PNP

当前型号

MPAK PNP 50V 100mA

当前型号

型号: DTC124XET1G

品牌: 安森美

封装: SC-75 NPN 50V 100mA 300mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

PDTA124EK,115和DTC124XET1G的区别

型号: MUN5135T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

功能相似

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

PDTA124EK,115和MUN5135T1G的区别

型号: MSD601-RT1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

MSD601-R: NPN 双极晶体管

PDTA124EK,115和MSD601-RT1G的区别