MMBT5210
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBT5210中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100µA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5210引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT5210
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5210 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5210 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 30 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT5210
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5210 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 50V 500mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5210 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 30 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | MMBT5210和MMBT6429LT1G的区别 |
| 型号： MSC2712GT1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor | MMBT5210和MSC2712GT1G的区别 |
| 型号： MSD601-RT1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | MSD601-R: NPN 双极晶体管 | MMBT5210和MSD601-RT1G的区别 |