IPP200N15N3G、IPP200N15N3GXKSA1、IPB108N15N3G对比区别
型号 IPP200N15N3G IPP200N15N3GXKSA1 IPB108N15N3G
描述 150V,50A,N沟道功率MOSFET单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-123 TO-220-3 TO-263-3-2
安装方式 Through Hole Through Hole -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 214 W
额定功率 - 150 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.016 Ω -
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 1820 pF -
漏源极电压(Vds) - 150 V -
连续漏极电流(Ids) - 50A -
上升时间 - 11 ns -
输入电容(Ciss) - 1820pF @75V(Vds) -
额定功率(Max) - 150 W -
下降时间 - 6 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 150W (Tc) -
封装 TO-220-3-123 TO-220-3 TO-263-3-2
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -