IPB108N15N3G

Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM

N-Channel 150 V 83A Tc 214W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

立创商城:
IPB108N15N3G

得捷:
IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin2+Tab D2PAK

力源芯城:
150V,83A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM

IPB108N15N3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB108N15N3G引脚图与封装图

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在线购买IPB108N15N3G

型号	制造商	描述	购买
IPB108N15N3G	Infineon 英飞凌	OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM	搜索库存

替代型号IPB108N15N3G

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： IPP111N15N3G 品牌：英飞凌封装： TO-220-3 N-Channel	完全替代	OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM	IPB108N15N3G和IPP111N15N3G的区别
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